關於 i line波長 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. I-LINE光阻膜厚之調控以增進微影解像度之研究

... 更小的尺寸微縮和得到較佳圖案的解析度，必需仰頼較短波長之光源或數值孔徑較大的光學系統。 ... 以達到KrF(248nm)的解像度，延續I-Line (365nm)光源及光阻的使用率。

#12. 光阻劑- 維基百科，自由的百科全書

光阻劑通常使用在紫外光波段或更小的波長(小於400奈米)進行曝光。 ... 一種常與水銀燈產生的I, G and H-lines一起使用，由重氮萘醌(DNQ)與酚醛樹脂所混合的正光阻。

#13. 曝光源問題

我們的標準曝光源，波長範圍為NUV(Near UV)含有I-line， H-line， G-line三個光束，適用你們的需求。 Q. 我要曝光的基板是6吋方， I-line曝光的能量約150mJ/cm2，請問 ...

#14. ASML一個早餐的故事☕️｜從高壓汞燈到EUV極紫外光☄️

line)、365nm (i-line)波長的紫外光。使用i- line光源的ASML微影設備，最小線寬可達220nm。 #DUV深紫外光 為了追求更小的線寬，ASML微影設備改採用深紫外光 (DUV, deep UV) ...

#15. 光刻(1)-光刻机大比拼

UV：Ultraviolet，紫外光，光源波长400nm以下，使用汞灯发出紫外光，可以产生波长436nm的紫外光（G-line），405nm的紫外光（H-line）、365nm的紫外光（I- ...

#16. 全球光刻設備市場規模調查:各類型(EUV，DUV，I-Line，ArF

全球光刻設備市場規模調查:各類型(EUV，DUV，I-Line，ArF，其他)，各波長(370 nm～270 nm，270 nm～170 nm，70 nm～1 nm)，各終端用戶(IDM，晶圓代 ...

#17. 笔记：光刻技术问与答 - 半导体设备

何谓DUV？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处 ...

#18. 半導體材料(前段)

g-Line Resist; i-Line Resist; KrF Resist; ArF Resist; EUV Resist. 半導體製造. g-Line Resist. TOK g線光阻. TOK製造436nm波長膜厚1um到7um用g線光阻，同時也在g ...

#19. 極紫外光微影—延續摩爾定律的重要技術

爾後隨製程. 線寬不斷微縮，光源波長也從i-line(365 nm 波長)到利用惰性氣體和鹵素分子結. 合激發的深紫外光(DUV)準分子雷射光源，如氟化氪(KrF)產生的248 nm 波長和.

#20. 國家奈米元件實驗室南部分中心

曝光波長：寬頻(broad band，350-450nm， g、 h、 i-line); 曝光均勻度（Uniformity）<= 5%. 曝光模式（Printing Modes）及解析度（Printing Resolution）（光阻厚度 ...

#21. 知識力

紫外光(UV：Ultraviolet)：光源波長400nm以下，使用「汞燈(Mercury lamp)」 ... 的紫外光(G-line)，405nm的紫外光(H-line)、365nm的紫外光(I-line)。

#22. 微影照像

大約為0.5。λ為曝光波長，NA為投影鏡片的數值孔徑（numerical aperture）， ... 幾個對光學微影技術的重要波長、解析度和聚焦 ... G-line. 436. 311. 850. I-line.

#23. 微影

◇0.35um的半導體微影製程中，常見的光源波長. ➢ g line（光源波長4360A）. ➢ i line （光源波長3650A）. ◇新的製程所用的光源波長KrF雷射（光源波長2480A的深.

#24. 光電科技研究所

奈米製程，當時微影技術曝光使用的光源，是波長193奈米的紫外光， ... (Double-Patterning)的手法應用於實驗上，利用I-line 光學步進機與雙.

#25. 奈米世代微影技術之原理及應用

光學微影的曝光光源有汞燈、KrF、ArF（曝光波長為193nm）、F2（曝光波長 ... 但是在早期的微影研究中並不太重視此一觀念，此乃是因為當時曝光的波長（g-line及i-line） ...

#26. 黃光玻璃/橘光玻璃/黃光室玻璃::::維妙實業有公司

但必須注意的一點,有些黃色透明板雖具有黃光但對於紫外光卻未完全隔絕,嚴格來說,這是不合格的產品。例如常被用於黃光室的5mm黃色壓克力透明板,在I-line(365nm)波長附近卻有 ...

#27. 微影製程駐波效應之改善研究 - NCHU Institution Repository

... “Bottom antireflective coatings for ArF, KrF, and I-line applications: a ... 第一部分著重於以準分子雷射(KrF，波長為248nm)底部抗反射層為主軸，在其晶片上 ...

#28. KrF、ArF、ArFi、EUV六代光刻机，中国处于什么水平？ - 维科号

第一二代光刻机均为接触接近式光刻机，曝光方式为接触接近式，G线（G－line）光刻机，使用的是436nm波长的光源。而I线（I－line）使用的是365nm波长的 ...

#29. MITSUI PELLICLE™ 光罩護膜

... 材料特點 用途詳細 基本情報概要Mitsui Pellicle是一種用於光罩的防塵護膜，其膜厚度設計為透過選擇對微影製程中的各曝光波長均有耐光的膜材料來獲得高穿透率。

#30. 積體電路精彩的摩爾旅程- 數目爆增的神奇魔力

(G-line/I-line)、深紫外光(DUV)，一直到現在的極紫外光(EUV)。 摩爾定律(Moore's Law)：光波波長的摩爾遊戲. 光的波長. 摩爾定律.

#31. 光刻机经历了5代产品发展。光源波长从...

g-line ：最早光刻机的光源是汞灯产生的紫外光源，1980年前后采用g-line光源，波长为. 436nm，制程节点为800-250nm。 i-line ：1990年之后，业界开始 ...

#32. 意即防止微塵或揮發氣體污染光罩表面

... 所使用的光源波長，硝化纖維素(nitrocellulose)是最初被採用的薄膜材質而且這類薄膜是使用於g-line (436 nm) 或i-line(365 nm)的晶圓曝光機或寬頻投射晶圓步進機。

#33. HMDS去水烘烤與塗底示意圖旋轉塗佈光阻

目前常使用的光源為i-line(365nm)與深紫外光(248nm & 193nm)兩種; 微影製程使用光源波長越短，則可達線寬越小。 光罩, 將設計好的電路圖形，透過電子束曝光系統將鉻膜 ...

#34. Line 和DUV 分别用什么样式的光阻？各个光阻特性如何？

为了获得亚波长光刻结果，抗蚀剂再制造技术，如相移掩模、扫描光学和检测技术被推到了它的绝对极限。最重要的是，抗蚀剂的基本结构必须改变——从I线的 ...

#35. Light & lasers - Lithography principles

To enable smaller features, we soon switched to invisible ultraviolet (UV) light with a wavelength of 365 nm. These later i-line systems pushed feature sizes ...

#36. CH 4 生產微機電元件之關鍵製程微影製程.

23 曝光光源汞燈(Hg) G-line 波長436 nm（常用於學校） I-line 波長365 nm（常用於0.35微米的IC製程中） KrF產生深紫外光(Deep UV)，用於0.25微米的IC製程 Excimer ...

#37. TWI443459B - 負型光阻組成物和裝置用的圖樣化方法

在裝置用的圖樣化方法中，曝光為使用一波長為365至436 nm之光源，例如，舉例而言，i或g-line光源(單色光元或白光源)。根據本發明之實施例，負型光阻組成物包含兩種光酸 ...

#38. i-Line 抗蝕劑

TOK生產i-Line光刻膠材料，用於365nm波長的薄膜厚度為0.3um至7um的應用。我們製造兩個正.

#39. 微製程概論(IC 及TFT/LCD)

光學微影科技的波長限制 ... 目前各大半導體廠常用的光源為i-line及深紫外光兩種。i-line ... 以知道，如果微影技術所使用的光源波長愈短，則可以達到的.

#40. i 線

i線とは、波長365nmの水銀のスペクトル線のこと。 ... i-line あいせん ... 波長を利用したステップアンドリピート（step and repeat）方式の露光装置を i 線ステッパ ...

#41. 關於黃光及其100個疑問，這篇文章已全面解答

可根據它所適用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻。 81、Scanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解：. 答：Scanner 是一個集機，光，電為一體的高 ...

#42. 光微影术

然而，光微影術所能製作的最小線寬與光源的波長成正比(稍後解釋)，因此要得到更小的線寬， ... 如圖三所示，隨著光源波段的不同，製程技術已經由G-line(436nm)、I-line ...

#43. 【百页PPT总结】对面板良率至关重要！黄光制程与设备详解

因为黄光的波长较长, 不容易使得光刻胶曝光, 因此将黄光作为显影前最理想的照明光源。 ... DUV ( 波长=248) ; I-line ( 波长=365nm). • 按运作分类:.

#44. 永光化學獨創光阻劑配方，強化台灣IC在地供應鏈

「光阻劑」是縮短曝光波長必備的電子化學品之一，尤以日本大廠競爭最激烈， ... 關鍵技術：I-LINE、G-LINE正負型光阻；高膜厚、高解析的化學增幅型光 ...

#45. 摘取光刻机皇冠上的明珠——ASML

在低于110nm节点. 下生产300mm晶圆，. 采用KrF光源，波长. 为248nm，数值孔. 径0.55-0.80，产能. 为240WPH。 TWINSCANXT:400L. 最新一代i-line光刻. 系统 ...

#46. 從ASML年報看半導體產業的未來

多年來，ASML做了幾個波長步長，DUV光刻系統範圍從365 nm (i-line)， 248 nm (KrF)到193 nm (ArF) ，而EUV光刻機的光波波長僅爲13.5nm。 NA是光學系統的數值孔徑，表示光線 ...

#47. 永光化學- 電子化學事業::光阻劑．顯影劑．研磨漿料

應用的產品有G-line、I-line及厚膜等光阻，主要應用於半導體及封裝產業的黃光製程；此外，我們也提供一系列的相關產品，包括光阻劑的顯影液等。基於關懷顧客、共創價值 ...

#48. 妳應該懂的--微影技術(Lithography)

所以，很多工程師們都朝著改善光源波長的方法，將原件增加在固定不變的晶圓面積中。以現在的製程最常見的波長是G-Line(436nm)及I-Line(365nm)的350nm、 ...

#49. 半導體制造、Fab以及Silicon Processing的基本知識- 頁 3

I -line與DUV主要不同處為何? 答：光源不同，波長不同，因此應用的場合也不同。I-Line主要用在較落後的制程（0.35微米以上 ...

#50. G・I線レジスト - 東京応化工業

I 線（365nm）に感光波長を有するフォトレジストです。ストリエーションが少なく、Lineで最小0.35μm、Holeで最小0.4μmの高解像性が得られます。かつTMAHによる現像工程 ...

#51. 半導體產業不可或缺的曝光機，是「這些企業」的心血結晶！

... 圖所示，曝光機的光源在過去多年的發展從包括g-line和i-line在內的高壓汞 ... 對於未來，有人甚至認為曝光機的光源有望從13.5nm 波長的EUV 進入到 ...

#52. Synthetic Fused Silica Glass AQ series 合成石英– 半導體製程 ...

不論是i-line，200nm波長以內的KrF、ArF 、Xe準分子雷射等深紫外線，到近紅外線都具有高穿透率. 低Compaction/Rarefaction特性，低雙折射特性. 1000℃左右的高耐熱性.

#53. 半导体设备深度报告(三):详解光刻机

所用光源的波长；NA 代表物镜数值孔径，与光传播介质的折射率相关，折射率 ... 最初的两代光刻机采用汞灯产生的436nm g-line 和365nm i-line 作为光刻 ...

#54. 关于黄光及其100个疑问，这篇文章已全面解答

答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 18、I-line与DUV主要不同处为何? 答： ...

#55. 應用UV - LIGA 於導光板模仁之製作研究

光源來製作，UV 光源波長有I line(365nm)和G line(436nm)兩種光源，. 並可利用厚膜光阻實現高深寬比之製程。 此UV-LIGA 製程技術主要有下列三種:.

#56. 半導体製造装置用語集（リソグラフィ : Lithography）

ArFエキシマレーザー光、波長193 nmを露光光とする露光手法。 i線露光 (i-line Lithography). 超高圧水銀灯のi線を用いた露光手法。

#57. IC 製程簡介

負光阻解析度較差. 2. 依曝光光源波長分: g-line : 436 nm. I-line : 365 nm. DUV(deep UV) : 248nm. Photolithography (微影或黃光) : 製作圖案(pattern)的方法.

#58. ArF是什么光刻机，为什么格科微能成功引进？

ArF其实是一种光源，光刻机的常见光源和波长有： ... 机不仅有极紫外光刻机（EUV），还有ArF浸没式光刻机、ArF干式光刻机、KrF光刻机、i-line设备等。

#59. 東南技術學院機械工程系專題製作報告台幣八千元蓋一座 ...

藍：DUV，deep ultra violet，深紫外光波長248nm. ○ 綠：I-LINE，紫外光波長365nm. ○ 粉紅：COAT，photo-resist coating，光阻塗佈.

#60. 從光刻技術發展看半導體技術路線| 科技

其中，隨著工藝演進，光刻波長經歷了幾次大的更迭，i-line時期使用的波長為365nm，KrF時期使用的波長為248nm，ArF時期使用的波長為193nm，進入EUV時代 ...

#61. EUV黃光微影技術介紹

然而，黃光微影技術所能製作的最小線寬與光源的波長成正比，因此，為了 ... 大幅應用於436nm(G-line)、365nm(I-line)、248nm及193nm等波長的黃光微影 ...

#62. 長興材料工業股份有限公司 - PCB Shop

For i-line(2:365nm) and h-line(2:405nm). * Excellent tenting ability. 特性. *針對雷射曝光製程設計. 適用i-line與h-line波長. 優良蓋孔能力.

#63. 智芯研報| 從g-Line 到EUV，探究ASML如何造就市場護城河

第二代光刻機光源是i-Line，波長為365nm，同樣可以滿足0.8-0.25 微米製程晶片的生產。第三代光刻機光源是KrF，波長為248nm，最小工藝節點提升至180-130nm ...

#64. 高解析度UVA MicroLED 顯示器未來顯示技術的新主流

... nm 附近，而這也與標準微影製程所使用的i-line（365 nm）曝光光源波長十分接近；並且隨著電流的上升，其發光光譜的半高寬增加得十分緩慢，從10 µA ...

#65. 2012年4月26日

... 故光學系統設計為反射式，包括光罩本身也是. 反射式。 黃光技術. 發展. 年代. 曝光波長. (奈米). 圖形解析度. (微米). 光罩型式. 曝光設備售. 價(USD$) i-line.

#66. 193nm波長光刻機如何刻出28nm線寬晶片？ - 電子技術設計

想當年整個晶片產業，各家包括Intel、Globalfoundries、台積電、三星都在22nm、28nm這個節點卡了很久，想必是遇到193nm ArF的極限了。

#67. Spectrometer

with a distance between the lines comparable ... 波長為之單色光垂直入射於光柵後，於繞射角滿足 ... 汞燈的兩個波長(I-line 與G-line)被應用在半導體製程的曝.

#68. 一文看懂光刻胶

按照曝光波长分类；光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻 ... 虽然g-line光刻胶和i-line 光刻胶使用的成分类似，但是其树脂和感光剂在 ...

#69. 半導體製程用濕式化學品的發展趨勢

G-line光阻劑隨著機器之汰換而退出半導體製程，再加上I-line光阻劑的應用臨界在0.3μm ... 的晶圓上佈植更多電路圖案，惟有追求更細微的線寬，並朝向愈短曝光波長發展。

#70. arium® comfort I 系列純水整合系統, H2O-I-2-UV

雙波長紫外光燈管：雙波長(185/254 nm) 紫外光技術，配合水平放置方式，減少溫度梯度影響，將總有機碳降至2 ppb 以下。 使用配有空氣過濾器及單向閥儲水袋，避免空氣中異物 ...

#71. 上海微電子28nm光刻機明年交付！意義何在？ - 夸克微科技

光刻設備從光源（從最初的g-Line, i-Line 髮展到EUV）、曝光方式（從接觸 ... 光刻設備光源波長的進一步縮小將推動先進製程的髮展，進而降低芯片功耗 ...

#72. 疊對量測不確定度評估 - AOIEA

的切割道(Scribe line)上。雖然目前的製程線寬比可見光的波長更小，微影疊對量測圖樣. 卻必須遠大於最小的製程線寬才可被可見光鑑別量測。目前先進的商用量測機台所 ...

#73. 光刻

一般鏇塗光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關（因為不同級別的曝光波長對應不同的光刻膠種類和解析度）：I-line最厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度 ...

#74. 豪雅集団公司光学公司| 光學性質|

Wavelength (nm), Spectral Line, Element ... 365.015, i線（紫外水銀）, Hg ... 根據利用上式的常數、可計算出波長365～1014nm範圍的任意波長之折射率公差 ...

#75. 日本USHIO UV照度計

USHIO UIT-250 紫外線積算照度計特點: 1.具有5種波長受光部供交換選購(主波長172nm、254nm、313nm、365nm、405nm) 2.可量測瞬間照度、最高照度及累積能量功能

#76. 觸控螢幕黃光製程相關工藝問題集

答：曝光過程中用到的光，其波長爲248nm，其波長較短，因此曝光完成後的圖形解析度較好，用於較爲重要的製程中。 I-line與DUV主要不同處爲何? 答：光源 ...

#77. 世界のフォトリソグラフィー機器市場ータイプ別（EUV、DUV、I- ...

SDKI Inc.のプレスリリース（2021年10月12日 17時18分）世界のフォトリソグラフィー機器市場ータイプ別（EUV、DUV、I-Line、ArF、その他）、波長別、 ...

#78. 永光化學獨創光阻劑配方，靈活跳脫日本大軍搶單潮

「光阻劑」是縮短曝光波長必備的電子化學品之一，尤以日本大廠競爭最激烈， ... 關鍵技術：I-LINE、G-LINE正負型光阻；高膜厚、高解析的化學增幅型光 ...

#79. DUV 深紫外線燈、曝光系統、殺菌深紫外光Deep UV Lamp

DUV(深紫外線)波長≦248nm，光強度低於I-line(水銀燈I-譜線365nm). USHIO : UXM-S200KL,UXM-200HO,UXM-501MA,UXM-1001MD. Remarks : 其他或特殊規格請來電洽詢.

#80. 家用脫毛機【 CP值✮✮✮✩✩ 】 價錢：$2999 up 激光波長

家用脫毛機【 CP值 】 價錢：$2999 up 激光波長：515 - 1100nm ... 手背、手指、腳趾、頸、、I line、乳頭【大部位】 全面、大腿、小腿、肚、上半背、下半 ...

#81. 晶圓切割道微裂之非破壞自動化光學檢查設備

[08]特性可得知，較佳適用於穿透晶圓切割膜檢測晶圓微裂的光源波長在1100 nm附近。 ... Ii. (1). 其中. λ. 為光線的波長，. L. 為亞佛加厥數(Avogadro's)常數、.

#82. 科技小辭典》EDA與EUV - 自由財經

微影設備是利用光線的波長來加工精密尺寸的晶片，俗稱為「蝕刻機、光刻機」。最早微影設備光源是採用汞燈產生的紫外光源，從g-line發展到i-line，波長 ...

#83. 光刻

一般旋塗光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關（因為不同級別的曝光波長對應不同的光刻膠種類和解析度）：I-line最厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度 ...

#84. 一張台積官網照片露餡龍潭小廠如何站崗站進台積供應商？

永光早在90年代就開始做用在台積八吋晶圓黃光製程紫外線I line（波長365nm）光阻，因此台積一直期待永光更進一步。 但後來，新應材卻成為台積優先扶持 ...

#85. i 線の露光装置市場を解説＆販売メーカーまとめ

露光装置市場では、オランダのASMLが独走状態だと思われていますが、露光装置を i 線（波長365nm）、KrF（248nm）、ArFドライ（193nm）、ArF液浸（193nm）、EUV(13.5nm)の ...

#86. IC 縮小術！林本堅院士談光學微影如何把IC 愈變愈小 - 研之有物

由於光在不同介質中，波長會有所改變，因此我們在考慮如何增加解析度時，可將鏡頭與成像面（晶圓）之間的介質（折射率n）一併納入考量，將λ 改以λ0/n ...

#87. 【快速醒酒】iPure 金山銀山對杯組(2個)

原價 NT$2560元 優惠價NT$1800元 商品名稱：iPure金山銀山對杯組(2個) 商品特色 ○使用專利Tripure科技材料，讓酒杯透過離子及波長震盪使水分子改變 商品規格(單入)

#88. 黄光制程从入门到精通| 100问 - 夸克显示

18、I-line与DUV主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35 ...

#89. 光刻機之戰– 尋夢科技

90年代前半期，光刻開始使用波長365nm i-line，後半期開始使用248nm的KrF雷射。雷射的可用波長就那麼幾個，00年代光刻開始使用193nm波長的DUV雷射，這就是知名的ArF準分子 ...

#90. 國產28nm光刻機即將量產，可通過多重曝光制造7nm芯片

目前來說，光刻機共經歷了五代的發展，從最早的436波長，再到第二代光刻機開始使用波長365nm i-line，第三代則是248nm 的KrF 激光。第四代就是193nm 波長的DUV 激光，這 ...

#91. 半導體製程控制之晶圓允收測試及線上量測參數關係分析

Correlation Analysis between Wafer Acceptance Test and In-line Data for Process ... 在次波長世代的晶圓製造，產業界已相繼提出及導入先進製程控制(Advanced ...

#92. 光刻机行业研究框架

i -line. 365nm. 接触式光刻机. 800-250nm. 易受污染，掩模板寿命短 ... 巨头尼康、佳能选择开发波长更低的光源，独独ASML决定和台积电合作研究“浸没式.

#93. EUV 極紫外光，一個你應該知道與台積電相關的技術 - YouTube

極紫外光大家可以理解為一種 波長 較短的紫外光，lithography最早是石版印刷的意思 ... 股感 Line ：http:// line.me/ti/p/@mup7228j 台積電拚5奈米關鍵技術！

#94. i線用光学ガラス | 光学素材・光学部品 | ニコン デジタル ...

i 線（365 nm）の波長に対して高い透過率を有する高品質なi線用光学ガラスの製品ページです。

#95. NIST: Atomic Spectra Database Lines Form

NIST Atomic Spectra Database Lines Form. Best viewed with the latest versions of Web browsers ... e.g., Fe I or Na;Mg; Al or mg i-iii or 198Hg I. Limits for.

#96. 芯片制程黄光室专用LED平板灯的应用

米的I-line、248 纳米的Deep UV、. 193 纳米的Deep UV、157 纳米的. Vacuum UV。若无尘室内的照明灯具. 发出上述蓝光或紫外波长的光线，会. 造成光刻胶异常曝光，严重 ...

#97. 露光 | 株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ

90 年台後半になるとi線も限界に近づき、さらに波長の短い遠紫外線（業界ではDeep UV またはDUV という）の光源が使われている。 数チップ分ずつ分けて露光する理由は、 ...

#98. 微電子製程實驗

正光阻本身並不會被顯影液溶解，但在適當波長、適當劑量的紫外線照射 substrate substrate ... 算R= V/I（電阻）、σ（conductivity ）、ρ(電阻係數, resistivity)。